10月11日，中國(guó)領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)——芯動(dòng)科技發(fā)布消息：公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET “N＋1”先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過(guò)，這是過(guò)去數(shù)月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

中芯國(guó)際目前是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，所謂“N＋1”工藝是中芯國(guó)際在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士此前公布的信息顯示，“N＋1”工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看，與7nm工藝相近。

梁孟松博士也表示，“N＋1”代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些（業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%），所以中芯國(guó)際的“N＋1”工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。而在“N＋1”之后，中芯國(guó)際還會(huì)有“N＋2”。這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，“N＋2”顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

在此前公布的2020年上半年財(cái)報(bào)當(dāng)中，中芯國(guó)際就曾表示，第二代先進(jìn)工藝（“N＋1”）進(jìn)展順利，已進(jìn)入客戶(hù)產(chǎn)品驗(yàn)證階段。

隨后，在今年9月下旬，中芯國(guó)際再度對(duì)外回應(yīng)稱(chēng)，第二代FinFET“N＋1”工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

而芯動(dòng)科技則是從2019年始，在中芯“N+1”工藝尚待成熟的情況下，團(tuán)隊(duì)就全程攻堅(jiān)克難，投入數(shù)千萬(wàn)元設(shè)計(jì)優(yōu)化，其基于中芯國(guó)際“N＋1”制程的首款芯片經(jīng)過(guò)持續(xù)數(shù)月、連續(xù)多輪的測(cè)試迭代，成功助力中芯國(guó)際突破“N＋1”工藝良率瓶頸。如今，芯動(dòng)科技基于國(guó)產(chǎn)“N+1”新工藝的里程碑NTO流片驗(yàn)證成功，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。